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AlGaN/GaN肖特基结参数分析与电流运输机理研究

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王欣娟, 张金凤, 张进城, 郝跃. 2008: AlGaN/GaN肖特基结参数分析与电流运输机理研究, 物理学报, 57(5): 3171-3175. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2008.05.087
引用本文: 王欣娟, 张金凤, 张进城, 郝跃. 2008: AlGaN/GaN肖特基结参数分析与电流运输机理研究, 物理学报, 57(5): 3171-3175. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2008.05.087
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Wang Xin-Juan, Zhang Jin-Feng, Zhang Jin-Cheng, Hao Yue. 2008: Analysis of structure parameters and current conduction mechanisms of AlGaN/GaN Schottky contacts, Acta Physica Sinica, 57(5): 3171-3175. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2008.05.087
Citation: Wang Xin-Juan, Zhang Jin-Feng, Zhang Jin-Cheng, Hao Yue. 2008: Analysis of structure parameters and current conduction mechanisms of AlGaN/GaN Schottky contacts, Acta Physica Sinica, 57(5): 3171-3175. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2008.05.087
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AlGaN/GaN肖特基结参数分析与电流运输机理研究

  • 西安电子科技大学,宽禁带半导体技术重点实验室,西安,710071

Analysis of structure parameters and current conduction mechanisms of AlGaN/GaN Schottky contacts

  • 摘要: 通过对AlGaN/GaN HEMT器件肖特基栅电流输运机理的研究,在变温下采用I-V法对AlGaN/GaN上的Ni/Au肖特基势垒高度和理想因子进行了计算.通过对不同电流机理的分立研究,得到了更为准确的势垒高度值鯾.通过分析温度在300-550K之间肖特基反向泄漏电流的特性,得出结论:AlGaN材料的表面漏电不是HEMT器件反向泄漏电流的主要来源.
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出版历程
  • 刊出日期:  2008-05-30

AlGaN/GaN肖特基结参数分析与电流运输机理研究

  • 西安电子科技大学,宽禁带半导体技术重点实验室,西安,710071

摘要: 通过对AlGaN/GaN HEMT器件肖特基栅电流输运机理的研究,在变温下采用I-V法对AlGaN/GaN上的Ni/Au肖特基势垒高度和理想因子进行了计算.通过对不同电流机理的分立研究,得到了更为准确的势垒高度值鯾.通过分析温度在300-550K之间肖特基反向泄漏电流的特性,得出结论:AlGaN材料的表面漏电不是HEMT器件反向泄漏电流的主要来源.

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