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铁磁性锰氧化物掺杂的ZnO压敏电阻性能研究

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羊新胜, 赵勇. 2008: 铁磁性锰氧化物掺杂的ZnO压敏电阻性能研究, 物理学报, 57(5): 3188-3192. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2008.05.090
引用本文: 羊新胜, 赵勇. 2008: 铁磁性锰氧化物掺杂的ZnO压敏电阻性能研究, 物理学报, 57(5): 3188-3192. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2008.05.090
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Yang Xin-Sheng, Zhao Yong. 2008: The study of ZnO varistor doped with ferromagnetic manganese oxide, Acta Physica Sinica, 57(5): 3188-3192. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2008.05.090
Citation: Yang Xin-Sheng, Zhao Yong. 2008: The study of ZnO varistor doped with ferromagnetic manganese oxide, Acta Physica Sinica, 57(5): 3188-3192. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2008.05.090
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铁磁性锰氧化物掺杂的ZnO压敏电阻性能研究

  • 材料先进技术教育部重点实验室和超导研究开发中心,西南交通大学,成都,610031

The study of ZnO varistor doped with ferromagnetic manganese oxide

  • 摘要: 利用通常的电子陶瓷制备工艺制备了铁磁性锰氧化物La0.7Sr0.3MnO3掺杂的ZnO陶瓷.晶界处存在La0.7Sr0.3MnO3(LSMO)和LaMnO3(LMO)两种杂相.样品中绝缘相LM0的含量显著影响着样品的电学性能.掺杂后的样品仍具有一定的铁磁性.在样品上施加磁场后,样品电阻值增加,表现为正磁电阻性质.正磁电阻的出现,是由于磁场的存在增加了晶界处势垒的高度造成的.结果表明磁场可以改变多晶陶瓷样品中晶界处势垒的性质,从而改变样品的电输运特性.
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出版历程
  • 刊出日期:  2008-05-30

铁磁性锰氧化物掺杂的ZnO压敏电阻性能研究

  • 材料先进技术教育部重点实验室和超导研究开发中心,西南交通大学,成都,610031

摘要: 利用通常的电子陶瓷制备工艺制备了铁磁性锰氧化物La0.7Sr0.3MnO3掺杂的ZnO陶瓷.晶界处存在La0.7Sr0.3MnO3(LSMO)和LaMnO3(LMO)两种杂相.样品中绝缘相LM0的含量显著影响着样品的电学性能.掺杂后的样品仍具有一定的铁磁性.在样品上施加磁场后,样品电阻值增加,表现为正磁电阻性质.正磁电阻的出现,是由于磁场的存在增加了晶界处势垒的高度造成的.结果表明磁场可以改变多晶陶瓷样品中晶界处势垒的性质,从而改变样品的电输运特性.

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