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基于电子回旋共振-等离子体增强金属有机物化学气相沉积技术生长GaMnN稀磁半导体的研究

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王叶安, 秦福文, 吴东江, 吴爱民, 徐茵, 顾彪. 2008: 基于电子回旋共振-等离子体增强金属有机物化学气相沉积技术生长GaMnN稀磁半导体的研究, 物理学报, 57(1): 508-513. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2008.01.081
引用本文: 王叶安, 秦福文, 吴东江, 吴爱民, 徐茵, 顾彪. 2008: 基于电子回旋共振-等离子体增强金属有机物化学气相沉积技术生长GaMnN稀磁半导体的研究, 物理学报, 57(1): 508-513. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2008.01.081
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Wang Ye-An, Qin Fu-Wen, Wu Dong-Jiang, Wu Ai-Min, Xu Yin, Gu Biao. 2008: Analysis of diluted magnetic semiconductor GaMnN grown by electron cyclotron resonance-plasma enhanced metal organic chemical vapor deposition, Acta Physica Sinica, 57(1): 508-513. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2008.01.081
Citation: Wang Ye-An, Qin Fu-Wen, Wu Dong-Jiang, Wu Ai-Min, Xu Yin, Gu Biao. 2008: Analysis of diluted magnetic semiconductor GaMnN grown by electron cyclotron resonance-plasma enhanced metal organic chemical vapor deposition, Acta Physica Sinica, 57(1): 508-513. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2008.01.081
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基于电子回旋共振-等离子体增强金属有机物化学气相沉积技术生长GaMnN稀磁半导体的研究

  • 大连理工大学三束材料改性国家重点实验室,大连,116024

  • 大连理工大学机械工程学院,大连,116024

Analysis of diluted magnetic semiconductor GaMnN grown by electron cyclotron resonance-plasma enhanced metal organic chemical vapor deposition

  • 摘要: 利用电子回旋共振.等离子体增强金属有机物化学气相沉积(ECR-PEMOCVD)方法.采用二茂锰(Cp2Mn)作为Mn源,高纯氮气作为氮源,三乙基镓(TEGa)作为Ga源,在蓝宝石(α-A12 O3)(0001)衬底上外延生长GaMnN稀磁半导体薄膜.反射高能电子衍射(RHEED)、X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)表征了GaMnN薄膜的晶体结构和表面形貌.GaMnN薄膜均表现出良好的(0002)择优取向,表明制备的薄膜倾向于c轴方向生长,薄膜保持很好的纤锌矿结构.表面形貌是由许多亚微米量级的晶粒按一致的取向规则堆砌而成的.超导量子干涉仪(SOUID)用来表征薄膜的磁性.SQUID分析表明,薄膜呈铁磁性,铁磁性仅可能来源于三元相GaMnN,薄膜的居里温度高于350 K.而且,高Mn的含量可以提高薄膜的居里温度.
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出版历程
  • 刊出日期:  2008-01-30

基于电子回旋共振-等离子体增强金属有机物化学气相沉积技术生长GaMnN稀磁半导体的研究

  • 大连理工大学三束材料改性国家重点实验室,大连,116024
  • 大连理工大学机械工程学院,大连,116024

摘要: 利用电子回旋共振.等离子体增强金属有机物化学气相沉积(ECR-PEMOCVD)方法.采用二茂锰(Cp2Mn)作为Mn源,高纯氮气作为氮源,三乙基镓(TEGa)作为Ga源,在蓝宝石(α-A12 O3)(0001)衬底上外延生长GaMnN稀磁半导体薄膜.反射高能电子衍射(RHEED)、X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)表征了GaMnN薄膜的晶体结构和表面形貌.GaMnN薄膜均表现出良好的(0002)择优取向,表明制备的薄膜倾向于c轴方向生长,薄膜保持很好的纤锌矿结构.表面形貌是由许多亚微米量级的晶粒按一致的取向规则堆砌而成的.超导量子干涉仪(SOUID)用来表征薄膜的磁性.SQUID分析表明,薄膜呈铁磁性,铁磁性仅可能来源于三元相GaMnN,薄膜的居里温度高于350 K.而且,高Mn的含量可以提高薄膜的居里温度.

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