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电化学沉积高c轴取向ZnO薄膜及其光学性能分析

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谷建峰, 付伟佳, 刘明, 刘志文, 马春雨, 张庆瑜. 2007: 电化学沉积高c轴取向ZnO薄膜及其光学性能分析, 物理学报, 56(10): 5979-5985. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2007.10.071
引用本文: 谷建峰, 付伟佳, 刘明, 刘志文, 马春雨, 张庆瑜. 2007: 电化学沉积高c轴取向ZnO薄膜及其光学性能分析, 物理学报, 56(10): 5979-5985. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2007.10.071
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Gu Jian-Feng, Fu Wei-Jia, Liu Ming, Liu Zhi-Wen, Ma Chun-Yu, Zhang Qing-Yu. 2007: Highly c-axis textured ZnO thin films grown by electrochemical deposition and their optical properties, Acta Physica Sinica, 56(10): 5979-5985. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2007.10.071
Citation: Gu Jian-Feng, Fu Wei-Jia, Liu Ming, Liu Zhi-Wen, Ma Chun-Yu, Zhang Qing-Yu. 2007: Highly c-axis textured ZnO thin films grown by electrochemical deposition and their optical properties, Acta Physica Sinica, 56(10): 5979-5985. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2007.10.071
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电化学沉积高c轴取向ZnO薄膜及其光学性能分析

  • 大连理工大学三束材料改性国家重点实验室,大连,116024

Highly c-axis textured ZnO thin films grown by electrochemical deposition and their optical properties

  • 摘要: 采用阴极还原方法,在透明导电玻璃(ITO)上制备了高c轴择优取向的ZnO薄膜.通过X射线衍射、扫描电子显微镜等表征技术,研究了沉积电流对ZnO薄膜的结构、应力状态及表面形貌的影响;利用光致荧光光谱及透射光谱等分析方法,探讨了沉积电流变化对ZnO薄膜的光学性能的影响.研究结果显示:各沉积电流下均可制得高c轴取向的ZnO薄膜;薄膜表面形貌受电流的影响较大;从透射谱可以看出,薄膜在可见光波段有较高透射率,且薄膜厚度随沉积电流的增大而增大.光致荧光测量表明,电化学沉积的ZnO薄膜具有明显的带隙展宽.而且,随着沉积电流的增加,带隙发光强度逐渐减弱,缺陷发光逐渐增强.
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出版历程
  • 刊出日期:  2007-10-30

电化学沉积高c轴取向ZnO薄膜及其光学性能分析

  • 大连理工大学三束材料改性国家重点实验室,大连,116024

摘要: 采用阴极还原方法,在透明导电玻璃(ITO)上制备了高c轴择优取向的ZnO薄膜.通过X射线衍射、扫描电子显微镜等表征技术,研究了沉积电流对ZnO薄膜的结构、应力状态及表面形貌的影响;利用光致荧光光谱及透射光谱等分析方法,探讨了沉积电流变化对ZnO薄膜的光学性能的影响.研究结果显示:各沉积电流下均可制得高c轴取向的ZnO薄膜;薄膜表面形貌受电流的影响较大;从透射谱可以看出,薄膜在可见光波段有较高透射率,且薄膜厚度随沉积电流的增大而增大.光致荧光测量表明,电化学沉积的ZnO薄膜具有明显的带隙展宽.而且,随着沉积电流的增加,带隙发光强度逐渐减弱,缺陷发光逐渐增强.

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