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电感耦合等离子体CVD低温生长硅薄膜过程中的铝诱导晶化

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王晓强, 栗军帅, 陈强, 祁菁, 尹旻, 贺德衍. 2005: 电感耦合等离子体CVD低温生长硅薄膜过程中的铝诱导晶化, 物理学报, 54(1): 269-273. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2005.01.049
引用本文: 王晓强, 栗军帅, 陈强, 祁菁, 尹旻, 贺德衍. 2005: 电感耦合等离子体CVD低温生长硅薄膜过程中的铝诱导晶化, 物理学报, 54(1): 269-273. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2005.01.049
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2005: Aluminum-induced crystallization during deposition of silicon films by inductively coupled plasma CVD, Acta Physica Sinica, 54(1): 269-273. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2005.01.049
Citation: 2005: Aluminum-induced crystallization during deposition of silicon films by inductively coupled plasma CVD, Acta Physica Sinica, 54(1): 269-273. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2005.01.049
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电感耦合等离子体CVD低温生长硅薄膜过程中的铝诱导晶化

  • 兰州大学物理系,兰州,730000

Aluminum-induced crystallization during deposition of silicon films by inductively coupled plasma CVD

  • 摘要: 利用电感耦合等离子体CVD方法在350℃的低温下在镀Al玻璃衬底上制备出具有良好结晶性的Si薄膜.利用x射线衍射、紫外-可见分光椭圆偏振谱、原子力显微镜及x射线光电子谱等研究了薄膜的结构、表面形貌和成分分布等.结果表明,用这种方法制备的Si薄膜不但晶化程度高,而且具有良好的(111)结晶取向性,晶粒尺寸大于300 nm,样品中无Al的残留.结合电感耦合等离子体的高电子密度特征讨论了低温生长过程中Al诱导Si薄膜晶化的机理.
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出版历程
  • 刊出日期:  2005-01-30

电感耦合等离子体CVD低温生长硅薄膜过程中的铝诱导晶化

  • 兰州大学物理系,兰州,730000

摘要: 利用电感耦合等离子体CVD方法在350℃的低温下在镀Al玻璃衬底上制备出具有良好结晶性的Si薄膜.利用x射线衍射、紫外-可见分光椭圆偏振谱、原子力显微镜及x射线光电子谱等研究了薄膜的结构、表面形貌和成分分布等.结果表明,用这种方法制备的Si薄膜不但晶化程度高,而且具有良好的(111)结晶取向性,晶粒尺寸大于300 nm,样品中无Al的残留.结合电感耦合等离子体的高电子密度特征讨论了低温生长过程中Al诱导Si薄膜晶化的机理.

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