高级搜索

短波碲镉汞光伏器件的低频噪声研究

,  ,  , 

downloadPDF

上一篇

下一篇

黄杨程, 刘大福, 梁晋穗, 龚海梅. 2005: 短波碲镉汞光伏器件的低频噪声研究, 物理学报, 54(5): 2261-2266. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2005.05.054
引用本文: 黄杨程, 刘大福, 梁晋穗, 龚海梅. 2005: 短波碲镉汞光伏器件的低频噪声研究, 物理学报, 54(5): 2261-2266. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2005.05.054
shu
Huang Yang-Cheng, Liu Da-Fu, Liang Jin-Sui, Gong Hai-Mei. 2005: Low frequency noise study on short wavelength HgCdTe photodiodes, Acta Physica Sinica, 54(5): 2261-2266. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2005.05.054
Citation: Huang Yang-Cheng, Liu Da-Fu, Liang Jin-Sui, Gong Hai-Mei. 2005: Low frequency noise study on short wavelength HgCdTe photodiodes, Acta Physica Sinica, 54(5): 2261-2266. doi: 10.3321/j.issn:1000-3290.2005.05.054
shu

短波碲镉汞光伏器件的低频噪声研究

  • 中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室,上海,200083;中国科学院研究生院,北京,100039

  • 中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室,上海,200083

Low frequency noise study on short wavelength HgCdTe photodiodes

  • 摘要: 对所研制的短波光伏碲镉汞器件进行了变温电流-电压特性和低频噪声研究,测试温度范围255-293K.实验结果表明随着温度的下降,器件的优值因子R0A从4.5×103Ωcm2增加到7×104Ωcm2.器件在低频区的主要噪声成分是1/f噪声和产生-复合噪声,在高频区主要是散粒噪声.在测试的偏压内,器件的1/f噪声功率谱密度与流过器件的电流的平方成正比,器件的Hooge系数为3×10-4-7×10-4.从噪声功率谱密度曲线分析中得到产生-复合噪声的特征时间常数τ,通过τ的温度特性得到了器件的深能级.
  • 加载中
  • 加载中
计量
  • 文章访问数:  540
  • HTML全文浏览数:  176
  • PDF下载数:  26
  • 施引文献:  0
出版历程

短波碲镉汞光伏器件的低频噪声研究

  • 中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室,上海,200083;中国科学院研究生院,北京,100039
  • 中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室,上海,200083

摘要: 对所研制的短波光伏碲镉汞器件进行了变温电流-电压特性和低频噪声研究,测试温度范围255-293K.实验结果表明随着温度的下降,器件的优值因子R0A从4.5×103Ωcm2增加到7×104Ωcm2.器件在低频区的主要噪声成分是1/f噪声和产生-复合噪声,在高频区主要是散粒噪声.在测试的偏压内,器件的1/f噪声功率谱密度与流过器件的电流的平方成正比,器件的Hooge系数为3×10-4-7×10-4.从噪声功率谱密度曲线分析中得到产生-复合噪声的特征时间常数τ,通过τ的温度特性得到了器件的深能级.

English Abstract

    全文HTML

参考文献 (0)

目录

/

返回文章
返回